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STAGE – Ingénieur développement de nanocapteurs de température à base de matériaux 2D pour mesures par spectroscopie Raman (H/F) – 6 mois

Thales

Engineering Jobs

STAGE – Ingénieur développement de nanocapteurs de température à base de matériaux 2D pour mesures par spectroscopie Raman (H/F) – 6 mois

internshipPosted: Jan 7, 2026

Job Description

JOB DESCRIPTION
Lieu : Palaiseau, France

Construisons ensemble un avenir de confiance

Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d’activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cyber & Digital. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l’environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4 milliards d’euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l’innovation tels que l’IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 81 000 collaborateurs dans 68 pays.

Nos engagements, vos avantages

  • Notre savoir-faire technologique

  • Notre attention portée à l’équilibre des collaborateurs

  • Un environnement inclusif et bienveillant

  • Un engagement sociétal et environnemental reconnu (Thales Solidarity, indice CAC 40 ESG…)

Votre quotidien

Thales Research&Technology, notre centre de recherche dans les domaines matériels, et CortAIx Labs, notre centre de recherche en IA et digital ont pour mission de proposer des innovations de ruptures, de maintenir et d’accroitre l’avance technologique et d’en assurer la compétitivité pour le groupe.

En rejoignant le laboratoire TeM2IS, vous intégrerez une équipe d’une vingtaine de chercheurs et d’une dizaine d’étudiants, menant des activités de modélisation, de conception, de développement technologique et de caractérisation de composants innovants pour des applications optiques et radiofréquences.

Vous participerez à des travaux de recherche dans le cadre de l’axe « nouveaux matériaux », ainsi qu’au projet ANR 2DTherm qui concerne l'utilisation de matériaux bidimensionnels (PtSe2, MOS2) pour effectuer des mesures de températures par Raman. L’objectif sera d’obtenir une température absolue locale au plus près du point chaud afin d’améliorer l’estimation de la durée de vie des composants, actuellement estimée par simulation thermique et mesures infrarouges de gradients de température.

Dans ce contexte, vous aurez pour missions : 

  • Le développement technologique de nanocapteurs de matériau 2D, notamment sur HEMT RF (technologie GH25-20 d’UMS) et GaN de puissance (Technologie STM). Les patchs seront réalisés in situ (entre la grille et le drain) par lithographie par projection et gravure, après dépôt du matériau 2D par les partenaires du projet par MBE ou PLD. L’étudiant devra trouver les meilleures conditions expérimentales selon le type de support (puce nue, transistor en boitier ou wafer).

  • La caractérisation structurale et dimensionnelle des patchs 2D réalisés avec les techniques d'analyses disponibles au laboratoire (cartographie Raman, AFM, MEB).

  • Les mesures de températures par la technique du shift du pic Raman et la réalisation des courbes de calibration en fonction du type de matériau 2D et des conditions de polarisation (sous pointes ou en boitier) des composants étudiés.

  • La comparaison des mesures de températures avec les techniques de thermoréflectance et infrarouge.

Votre profil

STAGE – Ingénieur développement de nanocapteurs de température à base de matériaux 2D pour mesures par spectroscopie Raman (H/F) – 6 mois

Vous avez envie de découvrir le domaine de la recherche ?

Vous avez pour ambition de réaliser votre stage au sein de Thales ?

Etudiant en M2, en Ecole d’ingénieur ou formation équivalente, vous avez des connaissances en :

  • Matériaux ;

  • Physico-chimie ;

  • Electronique ;

  • Capteurs thermiques ;

  • Anglais (oral et écrit – B2/C1 attendu) ;

  • Vous avez un intérêt pour les travaux expérimentaux ;

  • Une première expérience dans le domaine de la R&D serait souhaitable ;

  • Une première expérience en salle blanche serait également un atout.

Rigueur, créativité et curiosité scientifique sont des atouts que l'on vous reconnait ?

Alors ce stage est fait pour vous !

Tous nos stages sont conventionnés et soumis à une gratification dont le montant est déterminé selon votre niveau d’études.

Thales, entreprise Handi-Engagée, reconnait tous les talents. La diversité est notre meilleur atout. Postulez et rejoignez nous !

Locations

  • Palaiseau, Essonne, Essonne 91767

Salary

Estimated Salary Rangemedium confidence

1,200 - 1,600 EUR / yearly

Source: ai estimated

* This is an estimated range based on market data and may vary based on experience and qualifications.

Skills Required

  • Matériaux 2D (PtSe2, MoS2)intermediate
  • Spectroscopie Ramanintermediate
  • Lithographie par projectionintermediate
  • Gravureintermediate
  • Dépôt par MBE ou PLDintermediate
  • Caractérisation structurale (AFM, MEB)intermediate
  • Cartographie Ramanintermediate
  • Mesures thermiques (shift Raman, thermoréflectance, infrarouge)intermediate
  • Travaux en salle blancheintermediate
  • Rigueurintermediate
  • Créativitéintermediate
  • Curiosité scientifiqueintermediate
  • Anglais techniqueintermediate

Required Qualifications

  • Étudiant en M2 (experience)
  • École d’ingénieur ou formation équivalente (experience)
  • Connaissances en matériaux (experience)
  • Connaissances en physico-chimie (experience)
  • Connaissances en électronique (experience)
  • Connaissances en capteurs thermiques (experience)
  • Anglais oral et écrit (B2/C1) (experience)

Preferred Qualifications

  • Première expérience en R&D (experience)
  • Première expérience en salle blanche (experience)
  • Intérêt pour les travaux expérimentaux (experience)

Responsibilities

  • Développement technologique de nanocapteurs de matériau 2D sur HEMT RF (technologie GH25-20 d’UMS) et GaN de puissance (Technologie STM)
  • Réalisation in situ de patchs par lithographie par projection et gravure après dépôt par MBE ou PLD
  • Optimisation des conditions expérimentales selon le type de support (puce nue, transistor en boitier ou wafer)
  • Caractérisation structurale et dimensionnelle des patchs 2D (cartographie Raman, AFM, MEB)
  • Mesures de températures par shift du pic Raman et réalisation de courbes de calibration
  • Comparaison des mesures avec thermoréflectance et infrarouge

Benefits

  • general: Environnement inclusif et bienveillant
  • general: Engagement sociétal et environnemental (Thales Solidarity, indice CAC 40 ESG)
  • general: Attention à l’équilibre des collaborateurs
  • general: Stage conventionné avec gratification selon niveau d’études
  • general: Travail dans un centre de recherche de pointe (Thales Research & Technology, CortAIx Labs)

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Construisons ensemble un avenir de confiance

Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d’activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cyber & Digital. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l’environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4 milliards d’euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l’innovation tels que l’IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 81 000 collaborateurs dans 68 pays.

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  • Notre attention portée à l’équilibre des collaborateurs

  • Un environnement inclusif et bienveillant

  • Un engagement sociétal et environnemental reconnu (Thales Solidarity, indice CAC 40 ESG…)

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En rejoignant le laboratoire TeM2IS, vous intégrerez une équipe d’une vingtaine de chercheurs et d’une dizaine d’étudiants, menant des activités de modélisation, de conception, de développement technologique et de caractérisation de composants innovants pour des applications optiques et radiofréquences.

Vous participerez à des travaux de recherche dans le cadre de l’axe « nouveaux matériaux », ainsi qu’au projet ANR 2DTherm qui concerne l'utilisation de matériaux bidimensionnels (PtSe2, MOS2) pour effectuer des mesures de températures par Raman. L’objectif sera d’obtenir une température absolue locale au plus près du point chaud afin d’améliorer l’estimation de la durée de vie des composants, actuellement estimée par simulation thermique et mesures infrarouges de gradients de température.

Dans ce contexte, vous aurez pour missions : 

  • Le développement technologique de nanocapteurs de matériau 2D, notamment sur HEMT RF (technologie GH25-20 d’UMS) et GaN de puissance (Technologie STM). Les patchs seront réalisés in situ (entre la grille et le drain) par lithographie par projection et gravure, après dépôt du matériau 2D par les partenaires du projet par MBE ou PLD. L’étudiant devra trouver les meilleures conditions expérimentales selon le type de support (puce nue, transistor en boitier ou wafer).

  • La caractérisation structurale et dimensionnelle des patchs 2D réalisés avec les techniques d'analyses disponibles au laboratoire (cartographie Raman, AFM, MEB).

  • Les mesures de températures par la technique du shift du pic Raman et la réalisation des courbes de calibration en fonction du type de matériau 2D et des conditions de polarisation (sous pointes ou en boitier) des composants étudiés.

  • La comparaison des mesures de températures avec les techniques de thermoréflectance et infrarouge.

Votre profil

STAGE – Ingénieur développement de nanocapteurs de température à base de matériaux 2D pour mesures par spectroscopie Raman (H/F) – 6 mois

Vous avez envie de découvrir le domaine de la recherche ?

Vous avez pour ambition de réaliser votre stage au sein de Thales ?

Etudiant en M2, en Ecole d’ingénieur ou formation équivalente, vous avez des connaissances en :

  • Matériaux ;

  • Physico-chimie ;

  • Electronique ;

  • Capteurs thermiques ;

  • Anglais (oral et écrit – B2/C1 attendu) ;

  • Vous avez un intérêt pour les travaux expérimentaux ;

  • Une première expérience dans le domaine de la R&D serait souhaitable ;

  • Une première expérience en salle blanche serait également un atout.

Rigueur, créativité et curiosité scientifique sont des atouts que l'on vous reconnait ?

Alors ce stage est fait pour vous !

Tous nos stages sont conventionnés et soumis à une gratification dont le montant est déterminé selon votre niveau d’études.

Thales, entreprise Handi-Engagée, reconnait tous les talents. La diversité est notre meilleur atout. Postulez et rejoignez nous !

Locations

  • Palaiseau, Essonne, Essonne 91767

Salary

Estimated Salary Rangemedium confidence

1,200 - 1,600 EUR / yearly

Source: ai estimated

* This is an estimated range based on market data and may vary based on experience and qualifications.

Skills Required

  • Matériaux 2D (PtSe2, MoS2)intermediate
  • Spectroscopie Ramanintermediate
  • Lithographie par projectionintermediate
  • Gravureintermediate
  • Dépôt par MBE ou PLDintermediate
  • Caractérisation structurale (AFM, MEB)intermediate
  • Cartographie Ramanintermediate
  • Mesures thermiques (shift Raman, thermoréflectance, infrarouge)intermediate
  • Travaux en salle blancheintermediate
  • Rigueurintermediate
  • Créativitéintermediate
  • Curiosité scientifiqueintermediate
  • Anglais techniqueintermediate

Required Qualifications

  • Étudiant en M2 (experience)
  • École d’ingénieur ou formation équivalente (experience)
  • Connaissances en matériaux (experience)
  • Connaissances en physico-chimie (experience)
  • Connaissances en électronique (experience)
  • Connaissances en capteurs thermiques (experience)
  • Anglais oral et écrit (B2/C1) (experience)

Preferred Qualifications

  • Première expérience en R&D (experience)
  • Première expérience en salle blanche (experience)
  • Intérêt pour les travaux expérimentaux (experience)

Responsibilities

  • Développement technologique de nanocapteurs de matériau 2D sur HEMT RF (technologie GH25-20 d’UMS) et GaN de puissance (Technologie STM)
  • Réalisation in situ de patchs par lithographie par projection et gravure après dépôt par MBE ou PLD
  • Optimisation des conditions expérimentales selon le type de support (puce nue, transistor en boitier ou wafer)
  • Caractérisation structurale et dimensionnelle des patchs 2D (cartographie Raman, AFM, MEB)
  • Mesures de températures par shift du pic Raman et réalisation de courbes de calibration
  • Comparaison des mesures avec thermoréflectance et infrarouge

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  • general: Environnement inclusif et bienveillant
  • general: Engagement sociétal et environnemental (Thales Solidarity, indice CAC 40 ESG)
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